光电效应实验仪型号：HAD-GD-1A 半导体激光器：光谱650nm；作电压：DC2.6V~3.2V；光电管作电压：DC-2V~30V；微电测量：20μA，200μA，2000μA；分辨率0.01μA；光率：量程2mW；分辨率0.001 mW；数字电压表：量程200V；分辨率0.1V；实验暗箱：460ⅹ105ⅹ90mm。

霍尔效应实验仪HFD-HL-B应用该仪器可以成以下实验： 　　1 ．在恒定直磁场中测量砷化镓霍尔元件霍尔电压与霍尔电的关系； 　　2 ．霍尔电恒定时测量砷化镓霍尔元件在直磁场下的灵敏度。